セラミックスを用いたGEMフォイルの開発

Komiya Kazuki (Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute) ; Hamagaki Hideki (University of TOKYO) ; Takeuchi Yoko (RIKEN/Tokyo University of Science) ; Kubota Megu (Student) ; Wakabayashi Masaki (RIKEN) ; Tamagawa Toru (RIKEN)

Abstract:  GEMフォイルは通常、絶縁層にプラスチックフィルムを用いている。このため、使用中に放電がたびたび起こると、炭化導電路が形成され電極間の短絡を引き起こすことが知られている。  そこで、絶縁層にセラミックスを用いたGEMフォイルを今回開発した。このGEMフォイルはフォトリソグラフィー技術を用いず簡単な工程で製造される。また、耐トラッキング特性に優れ、放電による電極間の短絡がない。  発表では、このGEMフォイルについて増幅率等測定した特性を紹介する。

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 Record created 2015-10-31, last modified 2015-10-31


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